数据手册DataSheet 下载2N7000BU 60V N 沟道小信号 MOSFET.pdf

这些 N 沟道增强型场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度 DMOS 技术生产。 这些产品旨在最大限度地降低通态电阻,同时提供稳固、可靠、快速的开关性能。 它们可用于大部分需要高达 400mA 直流电流的应用,并且能够提供高达 2A 的脉冲电流。这些产品特别适合低压、低电流应用(如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 栅极驱动器)以及其它开关应用。

产品特点
订购型号
订购型号产品状态定价封装&包装信息封装丝印资格支持
2N7000BU量产 符合 RoHS 标准$0.0564TO-92 3L - 细节 4.19 x 5.2 x 20.95mm
to-92 3l 示意图
to92-3l, packing drawing
第一行:2N 第二行:7000 第三行:- YWWRƟJA : 312.5 °C/W
应用领域
技术资料