数据手册：DS2175, DS2175N .pdf [英文Rev.1(PDF,256kB)]
{状况：生产中。}The DS2175 is a low-power CMOS elastic-store memory optimized for use in primary rate telecommunications transmission equipment. The device serves as a synchronizing element between async data streams and is compatible with North American (T1-1.544MHz) and European (CEPT-2.048MHz) rate networks. The chip has several flexible operating modes which eliminate support logic and hardware currently required to interconnect parallel or serial TDM backplanes. Application areas include digital trunks, drop and insert equipment, digital cross-connects (DCC), private network equipment, and PABX-to-computer interfaces such as DMI and CPI.
产品关键特性
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原理框图
芯片订购型号
| 订购型号 | 产品状态 | 封装形式 | 工作温度 | RoHS/无铅 |
| DS2175 | 生产中 | PDIP(N)；16引脚；158.4mm²封装信息 | 0°C至+70°C | RoHS/无铅：否材料分析 |
| DS2175+ | 生产中 | PDIP(N)；16引脚；158.4mm²封装信息 | 0°C至+70°C | RoHS/无铅：无铅材料分析 |
| DS2175N | 生产中 | PDIP(N)；16引脚；158.4mm²封装信息 | -40°C至+85°C | RoHS/无铅：否材料分析 |
| DS2175S | 生产中 | SOIC(W)；16引脚；110.6mm²封装信息 | 0°C至+70°C | RoHS/无铅：否材料分析 |
| DS2175S+ | 生产中 | SOIC(W)；16引脚；110.6mm²封装信息 | 0°C至+70°C | RoHS/无铅：无铅材料分析 |
| DS2175S+T&R | 生产中 | SOIC(W)；16引脚；110.6mm²封装信息 | 0°C至+70°C | RoHS/无铅：无铅材料分析 |
| DS2175S/T&R | 生产中 | SOIC(W)；16引脚；110.6mm²封装信息 | 0°C至+70°C | RoHS/无铅：否材料分析 |
| DS2175SN | 生产中 | SOIC(W)；16引脚；110.6mm²封装信息 | -40°C至+85°C | RoHS/无铅：否材料分析 |
| DS2175SN+ | 生产中 | SOIC(W)；16引脚；110.6mm²封装信息 | -40°C至+85°C | RoHS/无铅：无铅材料分析 |
| DS2175SN+T&R | 生产中 | SOIC(W)；16引脚；110.6mm²封装信息 | -40°C至+85°C | RoHS/无铅：无铅材料分析 |
| DS2175SN/T&R | 生产中 | SOIC(W)；16引脚；110.6mm²封装信息 | -40°C至+85°C | RoHS/无铅：否材料分析 |
- DS2175, DS2175N : T1/CEPT弹性存储器 DS2175
- DS2175, DS2175N : T1/CEPT弹性存储器 DS2175N
