BLF6G27L-50BN：功率LDMOS晶体管 _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

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BLF6G27L-50BN：功率LDMOS晶体管

50 W LDMOS功率晶体管，适合2500 MHz至2700 MHz频率范围的基站应用。

特性和优势

方便的功率控制
集成ESD保护
极佳的强度
高效率
极佳的热稳定性
设计用于宽带操作（2500 MHz至2700 MHz）
集成式电流感测
内部匹配，便于使用
符合欧盟2002/95/EC危害性物质限制(RoHS)指令

应用

适合W-CDMA基站和多载波应用的RF功率放大器

产品图片

关键参数

Symbol	Parameter	Conditions	Min	Typ/Nom	Max	Unit
f_range	frequency range		2500		2700	MHz
P_L(1dB)	nominal output power at 1 dB gain compression			50		W
G_p	power gain	P_L(AV) = 3 W; V_DS = 28 V ^[0]	15.3	16.5		dB
η_D	drain efficiency	P_L(AV) = 3 W; V_DS = 28 V; 2500 MHz ≤ f ≤ 2700 MHz; I_Dq = 430 mA ^[0]	12.5	14.5		%
P_L(AV)	average output power	^[0]		3		W
ACPR	adjacent channel power ratio	P_L(AV) = 3 W; V_DS = 28 V; 2500 MHz ≤ f ≤ 2700 MHz; I_Dq = 430 mA ^[0]		-47	-43	dBc

封装与包装

型号	封装	Outline version	Reflow-/Wave soldering	包装	产品状态	标示	可订购的器件编号, (订购码 (12NC))
BLF6G27L-50BN	CDFM6 (SOT1112A)	sot1112a_po		Reel 13" Q1/T1	量产	Standard Marking	BLF6G27L-50BN,118( 9340 646 86118 )
BLF6G27L-50BN	CDFM6 (SOT1112A)	sot1112a_po		Bulk Pack	量产	Standard Marking	BLF6G27L-50BN,112( 9340 646 86112 )

引脚配置信息

Pin	Symbol	Description	外形简图	图形符号
1	D	drain
2	G	gate
3	S	source
4	SD	sense drain
5	SD	sense drain
6	SG	sense gate
7	SG	sense gate

无铅环保信息

型号	可订购的器件编号	RoHS / RHF	无铅转换日期	潮湿敏感度等级	MSL LF
BLF6G27L-50BN	BLF6G27L-50BN,118		Always Pb-free	NA	NA
BLF6G27L-50BN	BLF6G27L-50BN,112		Always Pb-free	NA	NA

文档资料

档案名称	标题	类型	格式	日期
BLF6G27L-50BN (中文)	Power LDMOS transistor	Data sheet	pdf	2014-10-08
AN10896	Mounting and Soldering of RF transistors	Application note	pdf	2015-03-24
75017347	Enabling the Mobile Experience	Brochure	pdf	2013-02-05
fatigue_in_aluminum_bond_wires	Fatigue in aluminum bond wires	Mounting and soldering	pdf	2009-10-08
NXP_RF_manual_19th_edition	RF Manual 19th edition: Application and design manual for High Performance RF products May 2015	Other type	pdf	2015-05-19
sot1112a_po	flanged ceramic package; 2 mounting holes; 6 leads	Outline drawing	pdf	2010-04-02

订购信息

型号	订购码 (12NC)	可订购的器件编号
BLF6G27L-50BN	9340 646 86118	BLF6G27L-50BN,118
BLF6G27L-50BN	9340 646 86112	BLF6G27L-50BN,112

Power LDMOS transistor BLF6G27L-50BN

Mounting and Soldering of RF transistors aerospace_defense

Enabling the Mobile Experience rf

Fatigue in aluminum bond wires gan_devices

RF Manual 19th edition: Application and design manual for High Performance RF products May 2015 rf

flanged ceramic package; 2 mounting holes; 6 leads BLF6G27L-50BN

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