BLS7G3135LS-200:LDMOS S波段雷达功率晶体管

200 W LDMOS功率晶体管,用于3100 MHz至3500 MHz范围的S波段雷达应用。

特性和优势
    • 高效率
    • 极佳的强度
    • 主要用于宽带操作
    • 极佳的热稳定性
    • 方便的功率控制
    • 集成ESD保护
    • 高度灵活的脉冲格式
    • 内部匹配,便于使用(输入和输出)
    • 符合欧盟2002/95/EC危害性物质限制(RoHS)指令
应用
    • 3100 MHz至3500 MHz频率范围内的S波段雷达应用
产品图片
关键参数
SymbolParameterConditionsMinTyp/NomMaxUnit
frangefrequency range31003500MHz
PL(1dB)nominal output power at 1 dB gain compression200W
Gppower gainPL = 200 W; VDS = 32 V8.812dB
RLininput return lossPL = 200 W; VDS = 32 V; IDq = 100 mA-8-4dB
ηDdrain efficiencyPL = 200 W; VDS = 32 V; 3100 MHz ≤ f ≤ 3500 MHz; IDq = 100 mA3843%
Pdroop(pulse)pulse droop powerPL = 200 W0.10.25dB
trrise timePL = 200 W; VDS = 32 V850ns
tffall timePL = 200 W; VDS = 32 V650ns
封装与包装
型号封装Outline versionReflow-/Wave soldering包装产品状态标示可订购的器件编号, (订购码 (12NC))
BLS7G3135LS-200

(SOT502B)
sot502b_poBulk Pack量产Standard MarkingBLS7G3135LS-200U( 9340 674 65112 )
引脚配置信息
PinSymbolDescription外形简图图形符号
1Ddrain
2Ggate
3Ssource
无铅环保信息
型号可订购的器件编号RoHS / RHF无铅转换日期潮湿敏感度等级MSL LF
BLS7G3135LS-200BLS7G3135LS-200UAlways Pb-freeNANA
文档资料
档案名称标题类型格式日期
BLS7G3135LS-200 (中文)LDMOS S-band radar power transistorData sheetpdf2013-09-23
AN10896Mounting and Soldering of RF transistorsApplication notepdf2015-03-24
PCB_Design_BLS7G3135LS-200_Data-sheetPCB Design BLS7G3135LS-200 (Data sheet)Design supportzip2013-08-15
fatigue_in_aluminum_bond_wiresFatigue in aluminum bond wiresMounting and solderingpdf2009-10-08
NXP_RF_manual_19th_editionRF Manual 19th edition: Application and design manual for High Performance RF products May 2015Other typepdf2015-05-19
BLS7G3135LS-200_ADS-2009_ModelBLS7G3135LS-200 ADS-2009 ModelSimulation modelzip2013-08-01
sot502b_poearless flanged ceramic package; 2 leadsOutline drawingpdf2007-05-08
SOT502B_112CDFM2; blister pack; standard product orientation 12NC ending 112Packingpdf2012-12-03
订购信息
型号订购码 (12NC)可订购的器件编号
BLS7G3135LS-2009340 674 65112BLS7G3135LS-200U
模型
标题类型日期
BLS7G3135LS-200 ADS-2009 ModelSimulation model2013-08-01
其它
标题类型日期
PCB Design BLS7G3135LS-200 (Data sheet)Design support2013-08-15
LDMOS S-band radar power transistor BLS7G3135LS-200
Mounting and Soldering of RF transistors aerospace_defense
Fatigue in aluminum bond wires gan_devices
RF Manual 19th edition: Application and design manual for High Performance RF products May 2015 rf
earless flanged ceramic package; 2 leads BLS7G3135LS-200
CDFM2; blister pack; standard product orientation 12NC ending 112 BLS7G3135LS-200
BLS7G3135LS-200 ADS-2009 Model BLS7G3135LS-200
PCB Design BLS7G3135LS-200 (Data sheet) BLS7G3135LS-200