NGTB30N60L2WG: N-Channel IGBT, 低VF开关二极管内置, 600V, 30A, VCE(sat)=1.4V

NGTB30N60L2WG is an N-Channel IGBT with Low VF Switching Diode, 600V, 30A, VCE(sat)=1.4V.

特性
  • IGBT VCE(sat)=1.4V(typ) [IC=30A, VGE=15V]
  • IGBT IC=100A (Tc=25°C)
  • IGBT tf=80ns(typ)
  • 高频应用用开关损失低
  • 最高结温 Tj=175°C
  • Diode VF=1.7V(typ) [IF=30A]
  • Diode trr=70ns(typ)
  • 5µs 抗短路能力
  • 不含铅和卤, 遵守RoHS
应用
  • 白物家电的功率因数校正
  • 通用变频器 (General purpose inverter)
终端产品
  • Solar PV
  • IH
  • UPS
应用注释 (1)
Document TitleDocument ID/SizeRevisionRevision Date
NGTB30N60L2WG同时具备高速开关与低VCE(sat)的IGBTANDNGTB30N60L2WGCN/D (490kB)0Jun, 2014
数据表 (1)
Document TitleDocument ID/SizeRevisionRevision Date
N-Channel IGBT, 低VF开关二极管内置, 600V, 30A, VCE(sat)=1.4VNGTB30N60L2WGCN/D (833kB)2Aug, 2014
仿真模型 (1)
Document TitleDocument ID/SizeRevisionRevision Date
NGTB30N60L2WG SPICE PARAMETERNGTB30N60L2WG-SPICE/D (2kB)0Mar, 2016
封装图纸 (1)
Document TitleDocument ID/SizeRevision
TO-247340AK (51.4kB)O
产品订购型号
产品状况Compliance封装MSL*容器预算价格 (1千个数量的单价)
NGTB30N60L2WGActivePb-free Halide freeTO-247340AKNATube30$1.73
订购产品技术参数
ProductV(BR)CES Typ (V)IC Max (A)VCE(sat) Typ (V)VF Typ (V)Eoff Typ (mJ)Eon Typ (mJ)Trr Typ (ns)Irr Typ (A)Gate Charge Typ (nC)Short Circuit Withstand (µs)EAS Typ (mJ)PD Max (W)Co-Packaged Diode
NGTB30N60L2WG600301.41.70.311.1470NA1665NA225Yes
NGTB30N60L2WG同时具备高速开关与低VCE(sat)的IGBT NGTB30N60L2WG
NGTB30N60L2WG SPICE PARAMETER NGTB30N60L2WG
TO-247 NGTB30N60L2WG