NGTB30N60L2WG: N-Channel IGBT, 低VF开关二极管内置, 600V, 30A, VCE(sat)=1.4V
NGTB30N60L2WG is an N-Channel IGBT with Low VF Switching Diode, 600V, 30A, VCE(sat)=1.4V.
特性- IGBT VCE(sat)=1.4V(typ) [IC=30A, VGE=15V]
- IGBT IC=100A (Tc=25°C)
- IGBT tf=80ns(typ)
- 高频应用用开关损失低
- 最高结温 Tj=175°C
- Diode VF=1.7V(typ) [IF=30A]
- Diode trr=70ns(typ)
- 5µs 抗短路能力
- 不含铅和卤, 遵守RoHS
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应用- 白物家电的功率因数校正
- 通用变频器 (General purpose inverter)
| 终端产品 |
应用注释 (1)
数据表 (1)
仿真模型 (1)
封装图纸 (1)
Document Title | Document ID/Size | Revision |
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TO-247 | 340AK (51.4kB) | O |
产品订购型号
产品 | 状况 | Compliance | 封装 | MSL* | 容器 | 预算价格 (1千个数量的单价) |
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NGTB30N60L2WG | Active | Pb-free
Halide free | TO-247 | 340AK | NA | Tube | 30 | $1.73 |
订购产品技术参数
Product | V(BR)CES Typ (V) | IC Max (A) | VCE(sat) Typ (V) | VF Typ (V) | Eoff Typ (mJ) | Eon Typ (mJ) | Trr Typ (ns) | Irr Typ (A) | Gate Charge Typ (nC) | Short Circuit Withstand (µs) | EAS Typ (mJ) | PD Max (W) | Co-Packaged Diode |
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NGTB30N60L2WG | 600 | 30 | 1.4 | 1.7 | 0.31 | 1.14 | 70 | NA | 166 | 5 | NA | 225 | Yes |