SiC MOSFET SCH2080KE

基于SiC的平面型MOSFET:(SiC-SBD一体型) 其特征是高耐压、低导通电阻、高速开关。 SCH2080KE

型号Status封装包装数量最小独立包装数量包装形态RoHS
SCH2080KEC供应中TO-24736030TubeYes

SCH2080KE 数据手册 Data Sheet

技术特性
Drain-source Voltage[V]1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]80
Drain Current[A]40.0
Total Power Dissipation[W]262
Junction Temperature(Max.)[°C]175
Storage Temperature (Min.)[°C]-55
Storage Temperature (Max.)[°C]175
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引脚配置图
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SCS308AP SCS308AP
SCS310AP SCS310AP
SCT3017AL SCT3017AL
SCT3022AL SCT3022AL
SPICE Simulation Evaluation Circuit SCH2080KE
Spice Model (lib) SCH2080KE
Thermal Model (lib) SCH2080KE
使用手册 SCS240KE2
NE 手册系列 SCS240KE2
产品目录 SCS240KE2
Part Explanation SCTMU001F
Product Catalog File SCH2080KE