3DG110 型晶体管

3DG110 型晶体管
序号 参数 单位 测试条件 规 范 值
3DG110A 3DG110B 3DG110C 3DG110D 3DG110E 3DG110F
1 PCM mW Ta=25℃ 300
2 IC mA   50
3 TjM  ℃   175
4 ICBO μA VCB=10V ≤0.1 ≤0.1 ≤0.1 ≤0.1 ≤0.1 ≤0.1
5 ICEO μA VCE=10V ≤0.1 ≤0.1 ≤0.1 ≤0.1 ≤0.1 ≤0.1
6 IEBO μA VEB=2V ≤0.1 ≤0.1 ≤0.1 ≤0.1 ≤0.1 ≤0.1
7 V(BR)CBO V ICB=50μA ≥20 ≥40 ≥60 ≥20 ≥40 ≥60
8 V(BR)CEO V ICE=50μA ≥15 ≥30 ≥45 ≥15 ≥30 ≥45
9 V(BR)EBO V IEB=50μA ≥4 ≥4 ≥4 ≥4 ≥4 ≥4
10 VBE(sat) V IC=10mA,IB=1mA ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 ≤1
11 VCE(sat) V IC=10mA,IB=1mA ≤0.7 ≤0.7 ≤0.7 ≤0.7 ≤0.7 ≤0.7
12 hFE   VCE=10V,IC=10mA 40~270 40~270 40~270 40~270 40~270 40~270
13 fT MHz VCB=10V,IC=10mA,f=100MHz ≥150 ≥150 ≥150 ≥300 ≥300 ≥300

允许测试误差±10%

NPN型金属封装硅高频小功率晶体管hFE分档表

hFE 40~55 55~80 80~120 120~180 180~270
色标 绿

3DG110 型晶体管B-2 型封状尺寸图

3DG110 型晶体管B-2 型封状尺寸图