FCP11N60F:N 沟道 SuperFET® FRFET® MOSFET 600V，11A，380mΩ
FCP11N60F SuperFET® MOSFET 是飞兆半导体®第一代利用电荷平衡技术实现出色低导通电阻和更低栅极电荷性能的高压超级结（SJ）MOSFET 系列产品。 这项技术专用于最小化传导损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。 因此，SuperFET MOSFET产品非常适合开关电源应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源及工业电源应用。 SuperFET FRFET® MOSFET 优化体二极管的反向恢复性能可去除额外元件并提高系统可靠性。
技术特性
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应用
实物参考图
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订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| FCP11N60F | 量产 | $2.6 | TO-220 3L 示意图 | 第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FCP 第三行:11N60F |
RTHETA (JA) : 62.5 °C/W RƟJC : 1 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : NA |
应用指南
| 应用指南 | 说明 |
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| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| N 沟道 SuperFET® FRFET® MOSFET 600V，11A，380mΩ | FCP11N60F | 1 |
