FCPF190N60E_152:N-Channel SuperFET® II MOSFET

FCPF190N60E_152 SuperFET®II MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technologyis tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET®II MOSFET is suitable for various AC/DC power conversion for system miniaturizationand higher efficiency.

技术特性
  • 650 V @TJ = 150°C
  • Max. RDS(on) = 190 mΩ
  • Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 63 nC)
  • Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss.eff = 178 pF)
  • 100% Avalanche Tested
 
订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FCPF190N60E_F152 量产
从2013年1月起符合绿色标准
N/A TO-220F 3L 示意图  第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
3 (3 位日期代码) 
&K
第二行:FCPF
第三行:190N60E
RTHETA (JA) :  62.5  °C/W
RƟJC :  3.2  °C/W
Moisture Sensitivity Level (MSL) :  NA  
应用指南
应用指南 说明
AN-558 Introduction to Power MOSFETs and their Applications(244 K) 2013年5月03日
AN-6099 采用屏蔽式栅极技术的新型 PowerTrench®MOSFET 提高同步整流应用的系统效率和功率密度(1,295 K) 2013年6月27日
AN-7510 A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 2011年3月05日
AN-7533 A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日
AN-9005 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计(2,150 K) 2013年6月27日
AN-9010 MOSFET Basics(361 K) 2011年3月05日
AN-9065 FRFET® in Synchronous Rectification(156 K) 2013年2月14日