FDC8602:100V双N沟道PowerTrench® MOSFET

FDC8602 这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产,该工艺专为实现rDS(on)、开关性能以及坚固性而优化。

技术特性
  • VGS = 10V,ID = 1.2A时,最大rDS(on) = 350mΩ
  • VGS = 6 V,ID = 0.9 A时,最大rDS(on) = 575mΩ
  • 高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
  • 高功率和高电流处理能力,采用广泛使用的表面贴装封装
  • 快速开关速度
  • 100%经过UIL测试
  • 符合RoHS标准
应用
  • 配电
实物参考图

FDC8602 实物参考图

订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FDC8602 量产 $0.261 SSOT 6L 示意图
胶带卷轴
第一行:E(空间) 
Y (二进制历年编码) 
第二行:.862
FIT :  5.1  
ESD (CDM) :  1500  V
ESD (HBM) :  150  V
应用指南
应用指南 说明
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概述 文档编号 版本
100V双N沟道PowerTrench® MOSFET FDC8602 1