FDD18N20LZ:N 沟道 UniFETTM MOSFET 200V,16A,125mΩ

FDD18N20LZ UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品,基于平面条形和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻,并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及照明设备用镇流器。

技术特性
  • RDS(on) = 125mΩ (最大值)@ VGS = 10V, ID = 8A
  • 低栅极电荷(典型值 30nC)
  • 低 Crss(典型值 25pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 提高了 dv/dt 处理能力
  • 改进了 ESD 防护能力
  • 符合 RoHS 标准
应用
  • AC-DC商用电源 消费型设备 DC-DC商用电源 台式计算机 DVD/机顶盒 EMS LCD监视器 LCD 电视 照明 LED TV 笔记本电脑 PDP电视 PC服务器 不间断电源
实物参考图

FDD18N20LZ 实物参考图

订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FDD18N20LZ 量产
从2010年12月起符合绿色标准
$0.84 TO-252 3L (DPAK) 示意图
胶带卷轴
第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
3 (3 位日期代码) 
&K
第二行:FDD
第三行:18N20LZ
RTHETA (JA) :  83  °C/W
RƟJC :  1.4  °C/W
Moisture Sensitivity Level (MSL) :  1  
应用指南
应用指南 说明
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概述 文档编号 版本
N 沟道 UniFETTM MOSFET 200V,16A,125mΩ FDD18N20LZ 1