FDMA7672:30V单N沟道PowerTrench® MOSFET

FDMA7672 该器件设计用于提供同步降压转换器的最高效率和热性能。 低rDS(on)和栅极充电提供了卓越的开关性能

技术特性
  • 在VGS = 10 V且ID = 9 A时,最大值rDS(on) = 21 mΩ
  • 在VGS = 4.5 V且ID = 7 A时,最大值rDS(on) = 32 mΩ
  • 薄型 - 最厚0.8mm - 采用新的MicroFET 2x2 mm封装
  • 无卤素化合物和锑氧化物
  • 符合RoHS标准
应用
  • 笔记本电脑
实物参考图

FDMA7672 实物参考图

订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FDMA7672 量产
从2011年5月起符合绿色标准
$0.102 MLP 2x2 6L (MicroFET) 示意图
胶带卷轴
第一行:E(空间) 
Y (二进制历年编码) 
FIT :  1  
RTHETA (JA) :  52  °C/W
RƟJC :  6.9  °C/W
应用指南
应用指南 说明
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概述 文档编号 版本
30V单N沟道PowerTrench® MOSFET FDMA7672 1