FDMC86160:100V N沟道Power Trench® MOSFET

FDMC86160 此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻而定制的。 此器件非常适合需要在小空间内实现低RDS(on)的应用,例如高性能VRM、POL和Oring功能。

技术特性
  • VGS = 10V,ID = 9 A时,最大rDS(on) = 14mΩ
  • VGS = 6 V,ID = 7 A时,最大rDS(on) = 23mΩ
  • 高性能技术可实现极低的rDS(on)
  • 终端无引线且符合RoHS标准.
应用
  • DC-DC商用电源
实物参考图

FDMC86160 实物参考图

订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FDMC86160 量产
从2012年1月起符合绿色标准
$0.798 MLP 3.3x3.3 8L (Power 33) 示意图
胶带卷轴
第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
3 (3 位日期代码) 
&K
第二行:FDMC
第三行:86160
FIT :  5.1  
ESD (CDM) :  2000  V
ESD (HBM) :  800  V
应用指南
应用指南 说明
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概述 文档编号 版本
100V N沟道Power Trench® MOSFET FDMC86160 1