FDME410NZT:20V N沟道PowerTrench® MOSFET_BDTIC代理FDME410NZT

FDME410NZT:20V N沟道PowerTrench® MOSFET

FDME410NZT 该单N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench工艺设计而成，用于优化VGS = 1.8 V时专用MicroFET引线框上的rDS(ON)。

技术特性

VGS = 4.5 V，ID = 7 A时，最大rDS(on) = 26mΩ
VGS = 2.5 V，ID = 6 A时，最大rDS(on) = 31mΩ
VGS = 1.8 V，ID = 5 A时，最大rDS(on) = 39mΩ
VGS = 1.8 V，ID = 5 A时，最大rDS(on) = 39mΩ
薄型： 0.55 mm最大值，新的MicroFET 1.6x1.6薄型封装
不含有卤化合物和氧化锑
HBM静电放电保护等级为1800V（注3）
符合RoHS标准

应用

服务器和大型机工作站台式计算机笔记本电脑 PC服务器多媒体平板电脑存储和外设打印机图形卡 LCD监视器 CRT/RPTV 其他数据处理路由器和LAN网关 SAN 长途列车与地铁宽带接入宽带调制解调器企业语音网络中央办公室广播和工作室其他有线通信手机 WLAN网卡和宽带接入 WLAN接入点/路由器移动通信基础设施外部AC-DC商用电源-有线通信其他无线通信 PMP/MP3播放器家用音频系统组件 CRT/RPTV LCD 电视 PDP电视摄像机 DVD机机顶盒 DSC 视频游戏机电子书阅读器消费型设备 AC-DC商用电源-视频游戏机、平板电视、DVR、STB 其他音频与视频其他消费型电子医疗电子/设备自动化测试和测量楼宇和住宅控制其他工业军用和民用航空

实物参考图

订购信息 Ordering Information

产品	生态状况	价格	封装信息	封装标记规则	资格支持
FDME410NZT	量产	$0.247	UMLP 1.6x1.6 6L (MicroFET) 示意图胶带卷轴	第一行:&Z (工厂编码) &2 (2 位日期代码) &K 第二行:6T	FIT : 0.9 ESD (CDM) : 1000 V ESD (HBM) : 1800 V

应用指南

应用指南	说明
AN-558	Introduction to Power MOSFETs and their Applications(244 K) 2013年5月03日
AN-6099	采用屏蔽式栅极技术的新型 PowerTrench®MOSFET 提高同步整流应用的系统效率和功率密度(1,295 K) 2013年6月27日
AN-7510	A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 2011年3月05日
AN-7533	A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日
AN-9005	快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计(2,150 K) 2013年6月27日
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AN-9746	Assembly Guidelines for MicroFET™ 1.6x1.6mm Packaging(543 K) 2011年11月02日
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概述	文档编号	版本
20V N沟道PowerTrench® MOSFET	FDME410NZT	1

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