FDMS3615S:25V非对称双N沟道MOSFET PowerTrench®功率级

FDMS3615S 该器件在双PQFN封装中包括两个专用N沟道MOSFET。 该开关节点通过内部连接,能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。 控制MOSFET (Q1)和同步SyncFET™ (Q2)旨在提供优化的功效。

技术特性
  • Q1: N沟道
  • 在VGS = 10 V且ID = 16 A时,最大值RDS(on) = 6.6 mΩ 
  • 在VGS = 4.5 V且ID = 13 A时,最大RDS(on) = 9.4 mΩ 
    Q2: N沟道
  • 在VGS = 10 V且ID = 18 A时,最大值RDS(on) = 3.5 mΩ 
  • 在VGS = 4.5 V且ID = 15 A时,最大值RDS(on) = 5.2 mΩ 
  • 低电感封装缩短了上升/下降时间,从而减少了开关损耗
  • MOSFET集成可实现降低电路电感以及开关节点振铃噪声的优化布局
  • 符合RoHS标准
应用
  • 笔记本电脑
实物参考图

FDMS3615S 实物参考图

订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FDMS3615S 量产
从2011年5月起符合绿色标准
$0.8 MLP 5x6 8L (Power 56) 示意图
胶带卷轴
第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
3 (3 位日期代码) 
&K
第二行:Y8OA
第三行:K10OC
FIT :  1.4  
ESD (CDM) :  2000  V
ESD (HBM) :  800  V
应用指南
应用指南 说明
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概述 文档编号 版本
25V非对称双N沟道MOSFET PowerTrench®功率级 FDMS3615S 1