FDMS7620S:30V 双N沟道PowerTrench® MOSFET

FDMS7620S 该器件包含两个专用MOSFET,采用独特的双功率56封装。 该器件设计用于提供一个最佳效率和PCB使用的同步降压功率级。 低开关损耗“高端”MOSFET通过一个低导通损耗“低端”SyncFET互补。

技术特性
  • Q1: N沟道
  • VGS = 2 V且ID = 10.1 A时,最大rDS(on) = 20.0 mΩ
  • VGS = 4.5 V且ID = 7.5 A时,最大rDS(on) = 30.0 mΩ Q2: N沟道
  • VGS = 2 V且ID = 12.4 A时,最大rDS(on) = 11.2 mΩ
  • VGS = 4.5 V且ID = 10.9 A时,最大rDS(on) = 14.2 mΩ
  • 为简单PCB设计而优化的引脚
  • 热高效双功率56封装
  • 符合RoHS标准
应用
  • 笔记本电脑
实物参考图

FDMS7620S 实物参考图

 

订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FDMS7620S 量产
从2011年1月起符合绿色标准
$0.35 MLP 5x6 8L (Power 56) 示意图
胶带卷轴
第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
&2 (2 位日期代码) &K
第二行:FDMS
第三行:7620S
FIT :  5.4  
ESD (HBM) :  200  V
RTHETA (JA) :  50  °C/W
应用指南
应用指南 说明
AN-558 Introduction to Power MOSFETs and their Applications(244 K) 2013年5月03日
AN-6099 采用屏蔽式栅极技术的新型 PowerTrench®MOSFET 提高同步整流应用的系统效率和功率密度(1,295 K) 2013年6月27日
AN-7510 A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 2011年3月05日
AN-7533 A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日
AN-9005 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计(2,150 K) 2013年6月27日
AN-9010 MOSFET Basics(361 K) 2011年3月05日
AN-9065 FRFET® in Synchronous Rectification(156 K) 2013年2月14日
AN-9763 Mid-Voltage Shielded PowerTrench® MOSFET in High Step-Up DC-DC for Edge-Lit LED TV Backlighting(292 K) 2012年7月20日
数据资料DataSheet下载
概述 文档编号 版本
30V 双N沟道PowerTrench® MOSFET FDMS7620S 1