FDT86244:150V N沟道Power Trench® MOSFET

FDT86244 这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产,该工艺专为实现rDS(on)、开关性能以及坚固性而优化。

技术特性
  • VGS = 10 V且ID = 2.8A时,最大rDS(on) = 128 mΩ
  • VGS = 6 V且ID = 2.4A时,最大rDS(on) = 178 mΩ
  • 高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
  • 在广泛使用的表面贴装封装中可实现高功率和高电流处理能力
  • 快速开关速度
  • 100%经过UIL测试
  • 符合RoHS标准
应用
  • 消费型设备
实物参考图

FDT86244 实物参考图

订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FDT86244 量产
从2011年2月起符合绿色标准
$0.174 SOT-223 4L 示意图
胶带卷轴
第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
3 (3 位日期代码) 
&K
第二行:86244
FIT :  5.1  
ESD (HBM) :  300  V
RTHETA (JA) :  55  °C/W
应用指南
应用指南 说明
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概述 文档编号 版本
150V N沟道Power Trench® MOSFET FDT86244 1