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首页>产品服务>分立式半导体
3DA18 型晶体管
- 结构名称:NPN硅外延平面高频功率三极管。
- 等级标记:Ⅱ类
- 主要用途:用于200MHz下输出0.5W的超高频放大器及其它电子设备中。
- 外 形 图:B—4型
3DA18 型晶体管
| 序号 |
参数 |
单位 |
测试条件 |
规范值 |
| 3DA18A |
3DA18B |
| 1 |
PCM |
W |
Tc=70℃±5℃ |
1 |
| 2 |
IC |
A |
|
0.15 |
| 3 |
TjM |
℃ |
|
175 |
| 4 |
ICBO |
μA |
VCB=12V |
≤40 |
≤10 |
| 5 |
ICEO |
μA |
VCE=20V |
≤100 |
≤40 |
| 6 |
BVEBO |
V |
IE=1mA |
≥4 |
≥4 |
| 7 |
BVCEO |
V |
IC=1mA |
≥35 |
≥50 |
| 8 |
BVCBO |
V |
IC=1mA |
≥40 |
≥55 |
| 9 |
hFE |
|
VCE=5V,IC=40mA |
≥15 |
≥15 |
| 10 |
VCE(sat) |
V |
IC=50mA,IB=10mA |
≤0.5 |
≤0.5 |
| 11 |
fT |
MHz |
f=100MHz,VCE=15V,IC=50mA |
≥400 |
≥400 |
| 12 |
PO |
W |
f=200MHz,VCE=24V,Pi=0.05W |
≥0.5 |
≥0.5 |
| 13 |
GP |
dB |
≥10 |
≥10 |
3DA18 型晶体管B-2 型封状尺寸图

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