3DA810 型晶体管
- 结构名称：NPN硅外延平面微波功率晶体管。
- 等级标记：Ⅱ类
- 主要用途：用于175MHz低压民用电台功率放大及其他电子设备中。
- 外形图：H-2F型
3DA810 型晶体管参数
| 序号 | 参数 | 单位 | 测试条件 | 规 范 值 |
| 1 | PCM | W | TC=70℃±5℃ | ≥22 |
| 2 | IC | A | 8 | |
| 3 | TjM | ℃ | 150 | |
| 4 | ICEO | mA | VCE=12V | ≤3 |
| 5 | BV CBO | V | ICB=15mA | ≥36 |
| 6 | BVCEO | V | ICE=15mA | ≥18 |
| 7 | BVEBO | V | IEB=15mA | ≥3 |
| 8 | VCE(sat) | V | IC=2.5A，IB=0.5A | ≤1 |
| 9 | hFE | VC=5V，IC=2A | ≥10 | |
| 10 | PO | W | f=175MHz，VC=12.5V，Pi=4W | ≥20 |
| 11 | GP | dB | ≥7 | |
| 12 | ηC | % | f=175MHz，VC=12V，Pi=4W | ≥60 |
3DA810 型晶体管封装尺寸图
