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3DG32G型晶体管
- 结构名称：NPN硅外延平面高频小功率晶体管。
- 等级标记：Ⅱ类
- 主要用途： 地缆通讯专用管
- 外 形 图：B-2型
3DG32 电参数
| 序号 |
参数 |
单位 |
测试条件 |
规 范 值 |
| 1 |
PCM |
mW |
|
300 |
| 2 |
IC |
mA |
|
30 |
| 3 |
TjM |
℃ |
|
175 |
| 4 |
ICBO |
μA |
VCB=10V |
≤0.1 |
| 5 |
ICEO |
μA |
VCE=10V |
≤0.1 |
| 6 |
V(BR)CBO |
V |
ICB=50μA |
≥40 |
| 7 |
V(BR)CEO |
V |
ICE=50μA |
≥30 |
| 8 |
V(BR)EBO |
V |
IEB=50μA |
≥3 |
| 9 |
VBE(sat) |
V |
IC=10mA，IB=1mA |
≤0.9 |
| 10 |
VCE(sat) |
V |
IC=10mA，IB=1mA |
≤0.3 |
| 11 |
hFE |
|
VCE=10V，IC=10mA |
40~120 |
| 12 |
fT |
MHz |
f=100MHz，VCE=10V，IC=10mA |
300~650 |
允许测试误差±10%
NPN型金属封装硅高频小功率晶体管hFE分档表
| hFE |
40~55 |
55~80 |
80~120 |
| 色标 |
黄 |
绿 |
蓝 |
3DG32G 晶体管B-2 型封状尺寸图
|
BDTIC 半导体事业部