54LS189 / 74LS189 LSTTL型 64位随机存贮器

54LS189 / 74LS189 特点

功能表

功能 输出
片选 写使能
 
L L Z
L H 输入数据的补码
禁止 H × Z

H=高电平 L=低电平 ×=不定 Z=禁态(高阻态 )

54LS189/74LS189 说明:

这种单片 64位 TTL随机存贮器(RAM)为4位16字结构,为反相三态输出。具有高性能肖特基钳位特性,同时还有快速片选存取,以提高系统的译码水平。三态输出具有集电极开路输出所有的图腾柱输出的速度,它能通过总线与同类输出相连,而且它还保持了 TTL图腾柱输出所具有的上升速度快的特性。 写周期:

当片选和写使能输入为低电平时,存储器中存储器输出被禁止为高阻态(三态).贮存的信息写入所选地址。而当写使能输入为低电平时,当许多输出和总线相连时,这个关态既不加载于也不驱动总线,但允许总线由其它有源输出端或一个无源输出所驱动读周期:

当写使能输入为高电平而片选输入为低电平时,存储器中贮存的信息在输出端是有效的。当片选输入为高电平时,输出被禁止。

推荐工作条件
符号  参数名称  74LS189  54LS189   单位
最小 典型 最大 最小 典型 最大
Vcc 电源电压 4.75 5 5.25 4.5 5 5.5 V
VIH 输入高电平电压 2.0     2.0     V
VIL 输入低电平电压     0.8     0.7 V
IOH 输出高电平电流     -2.6     -1.0 mA
IOL 输出低电平电流     24     12 mA
tW 写入脉冲宽度(写赋能为低) 70     80     ns
  建立 写入脉冲前的地址 0↓     0↓     ns
tsu 时间 写入脉冲结束前的数据 60↑     80↑    
    写入脉冲结束前的片选 60↑     80↑    
  保持 写入脉冲后的地址 0↑     0↑     ns
th 时间 写入脉冲后的数据 0↑     0↑    
    写入脉冲后的片选 0↑     0↑    
TA 工作环境温度 -40   85 -55   125

电 性 能:(除特别说明外,均为全温度范围)

符号  参数名称  测试条件   74LS189 54LS189 单位
最小 典型 最大 最小 典型 最大
VIK 输入钳位电压 Vcc=最小 II =-18mA     -1.5     -1.5 V
VOH 输出高电平电压 Vcc=最小 VIL =最大 VIH=2V IOH=最大 2.4     2.4 3.1   V
VOL 输出低电平电压 Vcc=最小 VIL=最大 VIH=2V IOL =最大     0.5   0.25 0.4 V
IOZH 高关态输出电流 Vcc=最大 VIH=2.0V VIL=最大 Vo=2.7V     20     20 μA
IOZL 低关态输出电流 Vcc=最大 VIH=2.0V VIL =最大 Vo=0.4V     -20     -20 μA
II 输入电流 (最大输入电压时 ) Vcc=最大 VI=7V     0.1     0.1 mA
IIH 输入高电平电流 Vcc=最大 VI=2.7V     20     20 μA
IIL 输入低电平电流 Vcc=最大 VI=0.4V     -0.4     -0.4 mA
IOS 输出短路电流 Vcc=最大 VO=0V -20   -100 -20   -100 mA
ICC 电源电流 Vcc=最大(注)     60   35 60 mA

注:测 Icc时,所有输出开路,赋能和片选输入接地,所有其它输入接 4.5V。所有典型值均在 Vcc=5.0V, TA=25℃下测量得出。交流(开关)参数:Vcc=5.0V, TA=25℃

符号 参数名称 从(输入) 到(输出) 测试条件  参数值  单位
最小 典型 最大
ta(ad) 地址存取时间 地址   CL=45pF   50 90 ns
ta(s) 片选存取时间 片选       35 70
ts(R) 读出恢复时间     RL=667Ω   55 100
  高电平或低电 片选       30 60
tPXZ 平的截止时间 赋能 R/W   CL=5pF RL=667Ω   40 70
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