MGF0912A L & S BAND / 14W non - matched

The MGF0912A, GaAs FET with an N-channel schottky gate, is designed for use in L/S band amplifiers.

技术特性 Features
  • High output power
    Po=41.5dBm(TYP.) @f=1.9GHz,Pin=33dBm
  • High power gain
    Gp=10.5dB(TYP.) @f=1.9GHz
  • High power added efficiency
    P.A.E =38%(TYP.) @f=1.9GHz,Pin=33dBm
  • Hermetic Package
应用领域 APPLICATION
  • For L/S Band power amplifiers
订购信息 Ordering Information
  • MGF0912A
外观尺寸图 Outline Drawing

MGF0912A 外观尺寸图


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