MGF0919A L & S BAND / 1W SMD non - matched

The MGF0919A GaAs FET with an N-channel schottky Gate, is designed for use UHF band amplifiers.

技术特性 Features
  • High output power
    Po=30dBm(TYP.) @f=1.9GHz,Pin=12dBm
  • High power gain
    Gp=19dB(TYP.) @f=1.9GHz
  • High power added efficiency
    add=37%(TYP.) @f=1.9GHz,Pin=12dBm
  • Hermetic Package
应用领域 APPLICATION
  • For UHF Band power amplifiers
订购信息 Ordering Information
  • MGF0919A

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