RD01MUS1 RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 520MHz,1W

RD01MUS1 is a MOS FET type transistor specifically designed for VHF/UHF RF amplifiers applications.

技术特性 Features
  • High power gain:
    Pout>0.8W, Gp>14dB @Vdd=7.2V,f=520MHz
  • High Efficiency: 65%typ.
应用领域 APPLICATION

For output stage of high power amplifiers in VHF/UHF Band mobile radio sets.

订购信息 Ordering Information
  • RD01MUS1
外观尺寸图 Outline Drawing

RD01MUS1 外观尺寸图


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