FCB36N60N:N 沟道 SupreMOS® MOSFET 600V, 25A, 125mΩ

FCB36N60N SupreMOS® MOSFET是飞兆半导体®的下一代高压超级结(SJ)技术,该技术采用区别于传统SJ MOSFET产品的深沟槽填充工艺。 这项先进技术和精密的工艺控制提供了最低的 Rsp on-resistance(导通电阻规格),卓越的开关性能和耐用性。 SupreMOS MOSFET技术适用于高频开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源及工业电源应用。

技术特性
  • RDS(on) = 81mΩ (典型值) @ VGS = 10V, ID = 18A
  • 超低栅极电荷(典型值 Qg = 86nC )
  • 低有效输出电容(典型值 Coss.eff = 361pF )
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 符合 RoHS 标准
应用
  • 不间断电源 PDP电视 PC服务器 笔记本电脑 照明 LED TV LCD 电视 LCD监视器 EMS DVD/机顶盒 台式计算机 DC-DC商用电源 消费型设备 AC-DC商用电源
实物参考图

FCB36N60N 实物参考图

订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FCB36N60NTM 量产
从2010年11月起符合绿色标准
$8.62 TO-263 3L (D2PAK) 示意图
胶带卷轴
第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
3 (3 位日期代码) 
&K
第二行:FCB
第三行:36N60N
FIT :  1.2  
RTHETA (JA) :  62.5  °C/W
RƟJC :  0.4  °C/W
应用指南
应用指南 说明
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概述 文档编号 版本
N 沟道 SupreMOS® MOSFET 600V, 25A, 125mΩ FCB36N60N 1