FCD380N60E:N 沟道 SuperFET® II MOSFET 600 V、10.2 A、380 mΩ
FCD380N60E SuperFET®II MOSFET 是飞兆半导体全新的高电压超级结 MOSFET 系列产品，采用先进的电荷平衡技术，实现极低的通态电阻和更低的栅极电荷。 该先进 MOSFET 经专门设计，不仅可最大程度地减少传导损耗，而且还能实现卓越的开关性能。 除了这些优势，与传统的超级结 MOSFET 相比，该产品还可耐受极高的 dv/dt 和较高的雪崩能量。 SuperFET II MOSFET 适用于系统小型化和高效化场景的各种开关电源应用。
技术特性
|
应用
实物参考图
|
订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| FCD380N60E | 量产 从2012年3月起符合绿色标准 |
N/A |
TO-252 3L (DPAK) 示意图
胶带卷轴 |
第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FCD 第三行:380N60E |
RTHETA (JA) : 100 °C/W RƟJC : 1.18 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : 1 |
应用指南
| 应用指南 | 说明 |
| AN-558 | Introduction to Power MOSFETs and their Applications(244 K) 2013年5月03日 |
| AN-6099 | 采用屏蔽式栅极技术的新型 PowerTrench®MOSFET 提高同步整流应用的系统效率和功率密度(1,295 K) 2013年6月27日 |
| AN-7510 | A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 2011年3月05日 |
| AN-7533 | A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日 |
| AN-9005 | 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计(2,150 K) 2013年6月27日 |
| AN-9010 | MOSFET Basics(361 K) 2011年3月05日 |
| AN-9065 | FRFET® in Synchronous Rectification(156 K) 2013年2月14日 |
数据资料DataSheet下载
| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| N 沟道 SuperFET® II MOSFET 600 V、10.2 A、380 mΩ | FCD380N60E | 1 |
