FCH041N60F:N 沟道 SuperFET® II FRFET® MOSFET 600 V、76 A、41 mΩ
FCH041N60F SuperFET®II FRFET® MOSFET 是飞兆半导体全新的高电压超级结 MOSFET，采用先进的电荷平衡技术，实现非常低的通态电阻和很低的栅极电荷。 该先进 MOSFET 专用于最小化传导损耗，同时提供卓越的开关性能、稳健的 dv/dt 抗扰度和高雪崩能量。 SuperFET II FRFET MOSFET 还提供卓越的体二极管反向恢复性能，不仅能够确保系统稳定性，还能够去掉某些应用中的多余元件，在这些应用中，MOSFET 内部体二极管的性能非常出色。 因此，该产品非常适用于系统小型化和高效化场景的各种开关功率应用。
技术特性
应用
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实物参考图
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订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| FCH041N60F | 量产 | N/A | TO-247 3L 示意图 | 第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FCH 第三行:041N60F |
RTHETA (JA) : 40 °C/W RƟJC : 0.21 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : NA |
应用指南
| 应用指南 | 说明 |
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| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| N 沟道 SuperFET® II FRFET® MOSFET 600 V、76 A、41 mΩ | FCH041N60F | 1 |
