FCH072N60F:N 沟道 SuperFET® II FRFET® MOSFET 600 V、52 A、72 mΩ

FCH072N60F SuperFET®II FRFET® MOSFET 是飞兆半导体全新的高电压超级结 MOSFET,采用先进的电荷平衡技术,实现非常低的通态电阻和很低的栅极电荷。 该先进 MOSFET 专用于最小化传导损耗,同时提供卓越的开关性能、稳健的 dv/dt 抗扰度和高雪崩能量。 SuperFET II FRFET MOSFET 还提供卓越的体二极管反向恢复性能,不仅能够确保系统稳定性,还能够去掉某些应用中的多余元件,在这些应用中,MOSFET 内部体二极管的性能非常出色。 因此,该产品非常适用于系统小型化和高效化场景的各种开关功率应用。

技术特性
  • RDS(on) = 65 mΩ(典型值)
  • 超低栅极电荷(典型值 Qg = 165 nC)
  • 低的有效输出电容
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 符合 RoHS 标准
实物参考图

FCH072N60F 实物参考图

订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FCH072N60F 量产 $6.5 TO-247 3L 示意图  第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
3 (3 位日期代码) 
&K
第二行:FCH
第三行:072N60F
RTHETA (JA) :  40  °C/W
RƟJC :  0.26  °C/W
Moisture Sensitivity Level (MSL) :  NA  
应用指南
应用指南 说明
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概述 文档编号 版本
N 沟道 SuperFET® II FRFET® MOSFET 600 V、52 A、72 mΩ FCH072N60F 1