FDC8884:30V N沟道PowerTrench® MOSFET

FDC8884 此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产,这一先进工艺已针对rDS(on)开关性能进行了优化

技术特性
  • VGS = 10 V,ID = 6.5 A时,最大rDS(on) = 23mΩ
  • VGS = 4.5 V,ID = 6.0 A时,最大rDS(on) = 30mΩ
  • 高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
  • 快速开关速度
  • 符合RoHS标准
应用
  • 笔记本电脑

 

实物参考图

FDC8884 实物参考图

订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FDC8884 量产
从2011年8月起符合绿色标准
$0.102 SSOT 6L 示意图
胶带卷轴
第一行:E(空间) 
Y (二进制历年编码) 
第二行:.884
FIT :  5.6  
ESD (HBM) :  200  V
RTHETA (JA) :  78  °C/W
应用指南
应用指南 说明
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概述 文档编号 版本
30V N沟道PowerTrench® MOSFET FDC8884 1