FDC8886:30V N沟道PowerTrench® MOSFET
FDC8886 此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺已针对rDS(on)开关性能进行了优化。
技术特性
应用
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实物参考图
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订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| FDC8886 | 量产 从2011年10月起符合绿色标准 |
$0.087 |
SSOT 6L 示意图
胶带卷轴 |
第一行:E(空间) Y (二进制历年编码) 第二行:.886 |
FIT : 5.6 ESD (CDM) : 2000 V ESD (HBM) : 200 V |
应用指南
| 应用指南 | 说明 |
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| AN-7510 | A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 2011年3月05日 |
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| AN-9005 | 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计(2,150 K) 2013年6月27日 |
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| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| 30V N沟道PowerTrench® MOSFET | FDC8886 | 1 |
