FDD4N60NZ:N 沟道 UniFETTM II MOSFET 600V，3.4A，2.5Ω
FDD4N60NZ UniFETTM II MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品，基于先进平面条形和 DMOS 技术。 该先进 MOSFET 系列在平面 MOSFET 产品中具有最小的通态电阻，还可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。 此外，内部的栅源 ESD 二极管使 UniFET II MOSFET 产品可承受超过 2kV 的 HBM 冲击应力。 该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。
技术特性
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应用
实物参考图
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订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| FDD4N60NZ | 量产 从2011年9月起符合绿色标准 |
$0.58 |
TO-252 3L (DPAK) 示意图
胶带卷轴 |
第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FDD 第三行:4N60NZ |
RTHETA (JA) : 110 °C/W RƟJC : 1.1 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : 1 |
应用指南
| 应用指南 | 说明 |
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| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| N 沟道 UniFETTM II MOSFET 600V，3.4A，2.5Ω | FDD4N60NZ | 1 |
