FDD86252:150 N沟道PowerTrench® MOSFET
FDD86252 此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的
技术特性
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应用
实物参考图
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订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| FDD86252 | 量产 从2010年12月起符合绿色标准 |
$0.464 |
TO-252 3L (DPAK) 示意图
胶带卷轴 |
第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FDD 第三行:86252 |
FIT : 5.1 ESD (CDM) : 2000 V ESD (HBM) : 600 V |
应用指南
| 应用指南 | 说明 |
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| AN-7533 | A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日 |
| AN-9005 | 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计(2,150 K) 2013年6月27日 |
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| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| 150 N沟道PowerTrench® MOSFET | FDD86252 | 1 |
