FDMA3027PZ:-30V双P沟道PowerTrench® MOSFET
FDMA3027PZ 该器件是专门设计用作有双开关要求的单一封装解决方案，例如更大型Mosfet的栅极驱动器。 该器件具有两个带低通态电阻的独立P沟道MOSFET，以最大限度地降低传导损耗。 MicroFET 2x2封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合线性模式应用。 旨在为增强ESD电压电平而增加了G-S齐纳管。
技术特性
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应用
实物参考图
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订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| FDMA3027PZ | 量产 从2012年3月起符合绿色标准 |
$0.319 |
MLP 2x2 6L (MicroFET) 示意图
胶带卷轴 |
第一行:E(空间) Y (二进制历年编码) |
FIT : 1.8 ESD (CDM) : 2000 V ESD (HBM) : 2400 V |
应用指南
| 应用指南 | 说明 |
| AN-558 | Introduction to Power MOSFETs and their Applications(244 K) 2013年5月03日 |
| AN-6099 | 采用屏蔽式栅极技术的新型 PowerTrench®MOSFET 提高同步整流应用的系统效率和功率密度(1,295 K) 2013年6月27日 |
| AN-7510 | A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 2011年3月05日 |
| AN-7533 | A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日 |
| AN-9005 | 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计(2,150 K) 2013年6月27日 |
| AN-9010 | MOSFET Basics(361 K) 2011年3月05日 |
| AN-9065 | FRFET® in Synchronous Rectification(156 K) 2013年2月14日 |
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| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| -30V双P沟道PowerTrench® MOSFET | FDMA3027PZ | 1 |
