FDMC86102L:100V N沟道Power Trench® MOSFET_BDTIC代理FDMC86102L

FDMC86102L:100V N沟道Power Trench® MOSFET

FDMC86102L 此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的

技术特性

VGS = 23 V，ID = 7 A时，最大rDS(on)
= 10 mΩ
VGS = 4.5 V，ID = 5.5 A时，最大rDS(on) = 34mΩ
薄型 - 最大1 mm，采用Power 33封装
符合RoHS标准

应用

AC-DC商用电源消费型设备 DC-DC商用电源台式计算机 DVD/机顶盒 EMS LCD监视器 LCD 电视照明 LED TV 笔记本电脑 PC服务器 PDP电视不间断电源

实物参考图

订购信息 Ordering Information

产品	生态状况	价格	封装信息	封装标记规则	资格支持
FDMC86102L	量产从2010年9月起符合绿色标准	$0.65	MLP 3.3x3.3 8L (Power 33) 示意图胶带卷轴	第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &2 (2 位日期代码) &K 第二行:FDMC8 第三行:6102L	FIT : 5.1 ESD (CDM) : 2000 V ESD (HBM) : 500 V

应用指南

应用指南	说明
AN-558	Introduction to Power MOSFETs and their Applications(244 K) 2013年5月03日
AN-6099	采用屏蔽式栅极技术的新型 PowerTrench®MOSFET 提高同步整流应用的系统效率和功率密度(1,295 K) 2013年6月27日
AN-7510	A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 2011年3月05日
AN-7533	A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日
AN-9005	快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计(2,150 K) 2013年6月27日
AN-9010	MOSFET Basics(361 K) 2011年3月05日
AN-9065	FRFET® in Synchronous Rectification(156 K) 2013年2月14日
AN-9763	Mid-Voltage Shielded PowerTrench® MOSFET in High Step-Up DC-DC for Edge-Lit LED TV Backlighting(292 K) 2012年7月20日

数据资料DataSheet下载

概述	文档编号	版本
100V N沟道Power Trench® MOSFET	FDMC86102L	1

©1993 - 2024 BDTIC