FDMS015N04B:N 沟道 PowerTrench® MOSFET 40V, 100A, 1.5mΩ

FDMS015N04B 该N沟道MOSFET采用飞兆半导体®先进的 Power Trench®工艺生产,这一先进工艺专用于最大限度地降低通态电阻并保持出色的开关性能。

技术特性
  • RDS(on) = 1.13mΩ(典型值)@ VGS = 10V, ID = 50A
  • 先进的封装和硅技术完美融合,实现了低rDS(on)和高效率
  • 快速开关速度
  • 100%经过UIL测试
  • 符合RoHS标准
应用
  • AC-DC商用电源 AC-DC商用电源-服务器和工作站 AC-DC商用电源-台式计算机 其他数据处理
实物参考图

FDMS015N04B 实物参考图

订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FDMS015N04B 量产
从2011年6月起符合绿色标准
$1.78 MLP 5x6 8L (Power 56) 示意图
胶带卷轴
第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
3 (3 位日期代码) 
&K
第二行:FDMS
第三行:015N04B
FIT :  5.6  
RTHETA (JA) :  50  °C/W
RƟJC :  1.2  °C/W
应用指南
应用指南 说明
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概述 文档编号 版本
N 沟道 PowerTrench® MOSFET 40V, 100A, 1.5mΩ FDMS015N04B 1