FDMS3606AS:30 V非对称双N沟道MOSFET PowerTrench®功率级

FDMS3606AS 该器件在双PQFN封装中包括两个专用N沟道MOSFET。 该开关节点通过内部连接,能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。 控制MOSFET (Q1)和同步SyncFET™ (Q2)旨在提供优化的功效。

技术特性
  • Q1: N沟道
  • VGS = 10 V且ID = 13 A时,最大RDS(on) = 8 mΩ 
  • VGS = 4.5 V且ID = 11时,最大RDS(on) = 11 mΩ 
    Q2: N沟道
  • VGS = 10 V且ID = 27 A时,最大RDS(on) = 1.9 mΩ 
  • VGS = 4.5 V且ID = 23 A时,最大RDS(on) = 2.8 mΩ 
  • 低电感封装缩短了上升/下降时间,从而减少了开关损耗
  • MOSFET集成可实现降低电路电感以及开关节点振铃噪声的优化布局
  • 符合RoHS标准
应用
  • 笔记本电脑
实物参考图

FDMS3606AS 实物参考图

订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FDMS3606AS 量产
从2010年11月起符合绿色标准
$0.87 MLP 5x6 8L (Power 56) 示意图
胶带卷轴
第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
3 (3 位日期代码) 
&K
第二行:22CA
第三行:N9CC
FIT :  5.4  
RTHETA (JA) :  50  °C/W
RƟJC :  2  °C/W
应用指南
应用指南 说明
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概述 文档编号 版本
30 V非对称双N沟道MOSFET PowerTrench®功率级 FDMS3606AS 1