FDMS3622S:25V PowerTrench®功率级25V非对称双N沟道MOSFET

FDMS3622S 该器件在双PQFN封装中包括两个专用N沟道MOSFET。 该开关节点通过内部连接,能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。 控制MOSFET (Q1)和同步SyncFET (Q2)旨在提供优化的功效。

技术特性
  • Q1: N沟道
  • 在VGS = 10 V且ID = 17.5 A时,最大rDS(on) = 4.7mΩ
  • 在VGS = 4.5 V且ID = 16 A时,最大rDS(on) = 5.5 mΩ
    Q2: N沟道
  • 在VGS = 10 V且ID = 34 A时,最大rDS(on) = 1.4 mΩ
  • 在VGS = 4.5 V且ID = 32 A时,最大rDS(on) = 1.6 mΩ
  • 低电感封装缩短了上升/下降时间,从而减少了开关损耗
  • MOSFET集成可实现降低电路电感以及开关节点振铃噪声的优化布局
  • 符合RoHS标准
应用
  • 服务器
实物参考图

FDMS3622S 实物参考图

订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FDMS3622S 量产
从2011年7月起符合绿色标准
$1.45 MLP 5x6 8L (Power 56) 示意图
胶带卷轴
第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
3 (3 位日期代码) 
&K
第二行:08OD
第三行:09OD
ESD (CDM) :  2000  V
ESD (HBM) :  300  V
RTHETA (JA) :  50  °C/W
应用指南
应用指南 说明
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概述 文档编号 版本
25V PowerTrench®功率级25V非对称双N沟道MOSFET FDMS3622S 1