FDMS3660AS:30 V 非对称双 N 沟道 MOSFET PowerTrench®_BDTIC代理FDMS3660AS

FDMS3660AS:30 V 非对称双 N 沟道 MOSFET PowerTrench®

FDMS3660AS 该器件在双PQFN封装中包括两个专用N沟道MOSFET。该开关节点通过内部连接，能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。控制 MOSFET (Q1)和同步 SyncFET™ (Q2) 旨在提供优化的功效。

技术特性

Q1： N 沟道
- rDS(on)最大值 = 8 mΩ，需 VGS = 10 V、ID = 13 A
- rDS(on)最大值 = 11 mΩ，需 VGS = 4.5 V、ID = 11 A
Q2： N 沟道
- rDS(on)最大值 = 1.8 mΩ，需 VGS = 10 V、ID = 30 A
- rDS(on)最大值 = 2.2 mΩ，需 VGS = 4.5 V、ID = 27 A
低电感封装缩短了上升/下降时间，从而减少了开关损耗
MOSFET集成可实现降低电路电感以及开关节点振铃噪声的优化布局
符合 RoHS 标准

实物参考图

订购信息 Ordering Information

产品	生态状况	价格	封装信息	封装标记规则	资格支持
FDMS3660AS	量产从2012年10月起符合绿色标准	$0.435	MLP 5x6 8L (Power 56) 示意图胶带卷轴	第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:27CF 第三行:32CD	ESD (CDM) : 20002000 V ESD (HBM) : 500900 V RTHETA (JA) : 50 °C/W

应用指南

应用指南	说明
AN-558	Introduction to Power MOSFETs and their Applications(244 K) 2013年5月03日
AN-6099	采用屏蔽式栅极技术的新型 PowerTrench®MOSFET 提高同步整流应用的系统效率和功率密度(1,295 K) 2013年6月27日
AN-7510	A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 2011年3月05日
AN-7533	A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日
AN-9005	快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计(2,150 K) 2013年6月27日
AN-9010	MOSFET Basics(361 K) 2011年3月05日
AN-9065	FRFET® in Synchronous Rectification(156 K) 2013年2月14日

数据资料DataSheet下载

概述	文档编号	版本
30 V 非对称双 N 沟道 MOSFET PowerTrench®	FDMS3660AS	1

©1993 - 2024 BDTIC