FDMS8320L:40V N沟道PowerTrench® MOSFET_BDTIC代理FDMS8320L

FDMS8320L:40V N沟道PowerTrench® MOSFET

FDMS8320L 该N沟道MOSFET专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进总体效率和在最大程度上减少DC/DC转换器的开关结点振铃而设计。已经针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和二极管反向恢复性能进行了优化

技术特性

VGS= 10 V，ID = 32A时，最大rDS(on)
= 1.1 mΩ￭ VGS= 4.5 V，ID = 27A时，最大rDS(on)
= 1.5 mΩ￭先进的封装和硅技术完美融合，实现了低rDS(on)和高效率
新一代的增强型体二极管技术，专为软恢复设计
MSL1耐用封装设计
100%经过UIL测试
符合RoHS标准

应用

AC-DC商用电源

实物参考图

订购信息 Ordering Information

产品	生态状况	价格	封装信息	封装标记规则	资格支持
FDMS8320L	量产从2010年11月起符合绿色标准	$1.09	MLP 5x6 8L (Power 56) 示意图胶带卷轴	第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FDMS 第三行:8320L	FIT : 5.6 ESD (HBM) : 3600 V RTHETA (JA) : 50 °C/W

应用指南

应用指南	说明
AN-558	Introduction to Power MOSFETs and their Applications(244 K) 2013年5月03日
AN-6099	采用屏蔽式栅极技术的新型 PowerTrench®MOSFET 提高同步整流应用的系统效率和功率密度(1,295 K) 2013年6月27日
AN-7510	A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 2011年3月05日
AN-7533	A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日
AN-9005	快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计(2,150 K) 2013年6月27日
AN-9010	MOSFET Basics(361 K) 2011年3月05日
AN-9065	FRFET® in Synchronous Rectification(156 K) 2013年2月14日

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概述	文档编号	版本
40V N沟道PowerTrench® MOSFET	FDMS8320L	1

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