FDMS8560S:25V N沟道PowerTrench® SyncFET™

FDMS8560S 此N沟道SyncFET™     采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产。 先进的硅技术和封装技术完美融合,可在提供最小rDS(on)的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。 该器件具有高效单片肖特基体二极管的新增优点。

技术特性
  • Dual CoolTM PQFN封装
  • 最大rDS(on) = 1.8 mΩ(VGS = 10 V, ID = 35 A
    )■ 最大rDS(on) = 2.1 mΩ(VGS = 4.5 V, ID = 32 A
    )■ 高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
  • SyncFET™ 肖特基体二极管
  • 符合RoHS标准

 

应用
  • 服务器
实物参考图

FDMS8560S 实物参考图

订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FDMS8560S 量产
从2011年7月起符合绿色标准
$0.91 MLP 5x6 8L (Power 56) 示意图
胶带卷轴
第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
3 (3 位日期代码) 
&K
第二行:05OD
ESD (HBM) :  900  V
RTHETA (JA) :  50  °C/W
RƟJC :  1.9  °C/W
应用指南
应用指南 说明
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AN-6099 采用屏蔽式栅极技术的新型 PowerTrench®MOSFET 提高同步整流应用的系统效率和功率密度(1,295 K) 2013年6月27日
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概述 文档编号 版本
25V N沟道PowerTrench® SyncFET™ FDMS8560S 1