FDMS8570S:25V N沟道PowerTrench® SyncFET™

FDMS8570S 此N沟道SyncFET™ 采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产。先进的硅技术和封装技术完美融合,可在提供最小RDS(on)的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。 该器件可被额外作为一个有效的单片肖特基体二极管使用。

技术特性
  • Dual Cool™ PQFN封装
  • 在VGS = 10 V且ID = 28 A时,最大值R
  • DS(on) = 2.8 mΩ
  • 在VGS = 4.5 V且ID = 25 A时,最大值R
  • DS(on) = 3.3 mΩ
  • 高性能技术可实现极低的RDS(ON)
  • SyncFET™ 肖特基体二极管
  • 符合RoHS标准

 

应用
  • 服务器
实物参考图

FDMS8570S 实物参考图

订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FDMS8570S 量产
从2011年7月起符合绿色标准
$0.88 MLP 5x6 8L (Power 56) 示意图
胶带卷轴
第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
3 (3 位日期代码) 
&K
第二行:10OD
ESD (HBM) :  600  V
RTHETA (JA) :  50  °C/W
RƟJC :  2.6  °C/W
应用指南
应用指南 说明
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AN-6099 采用屏蔽式栅极技术的新型 PowerTrench®MOSFET 提高同步整流应用的系统效率和功率密度(1,295 K) 2013年6月27日
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概述 文档编号 版本
25V N沟道PowerTrench® SyncFET™ FDMS8570S 1