FDMS86102LZ:100V N沟道Power Trench® MOSFET
FDMS86102LZ 此N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越开关性能而定制的。 旨在为增强ESD电压电平而增加了G-S齐纳管。
技术特性
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应用
实物参考图
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订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| FDMS86102LZ | 量产 从2011年4月起符合绿色标准 |
$0.7 |
MLP 5x6 8L (Power 56) 示意图
胶带卷轴 |
第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FDMS 第三行:86102LZ |
FIT : 5.1 ESD (CDM) : 2000 V ESD (HBM) : 6500 V |
应用指南
| 应用指南 | 说明 |
| AN-558 | Introduction to Power MOSFETs and their Applications(244 K) 2013年5月03日 |
| AN-6099 | 采用屏蔽式栅极技术的新型 PowerTrench®MOSFET 提高同步整流应用的系统效率和功率密度(1,295 K) 2013年6月27日 |
| AN-7510 | A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 2011年3月05日 |
| AN-7533 | A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日 |
| AN-9005 | 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计(2,150 K) 2013年6月27日 |
| AN-9010 | MOSFET Basics(361 K) 2011年3月05日 |
| AN-9065 | FRFET® in Synchronous Rectification(156 K) 2013年2月14日 |
| AN-9763 | Mid-Voltage Shielded PowerTrench® MOSFET in High Step-Up DC-DC for Edge-Lit LED TV Backlighting(292 K) 2012年7月20日 |
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| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| 100V N沟道Power Trench® MOSFET | FDMS86102LZ | 1 |
