FDMS86150:100V N沟道PowerTrench® MOSFET

FDMS86150 该N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。

技术特性
  • VGS = 10V,ID = 16 A时,最大rDS(on) = 4.85mΩ
  • VGS = 6 V,ID = 13 A时,最大rDS(on) = 7.8mΩ
  • 先进的封装技术和硅技术相结合,实现了低rDS(on)和高效率
  • MSL1耐用封装设计
  • 100%经过UIL测试
  • 符合RoHS标准
应用
  • DC-DC商用电源
实物参考图

FDMS86150 实物参考图

订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FDMS86150 量产
从2012年7月起符合绿色标准
N/A TO-220 3L 示意图  第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
3 (3 位日期代码) 
&K
第二行:FDP
第三行:030N06B
RTHETA (JA) :  62.5  °C/W
RƟJC :  0.73  °C/W
Moisture Sensitivity Level (MSL) :  NA  
应用指南
应用指南 说明
AN-558 Introduction to Power MOSFETs and their Applications(244 K) 2013年5月03日
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AN-7533 A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日
AN-9005 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计(2,150 K) 2013年6月27日
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概述 文档编号 版本
100V N沟道PowerTrench® MOSFET FDMS86150 1