FDMS86520: 60V N沟道PowerTrench® MOSFET

FDMS86520 该N沟道MOSFET专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进总体效率和在最大程度上减少DC/DC转换器的开关结点振铃而设计。已经针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和软体二极管反向恢复性能进行了优化

技术特性
  • 最大(rDS(on) = 7.4mΩ (VGS = 10 V, ID = 14 A)
  • 最大(rDS(on) = 10.3 mΩ (VGS = 8 V, ID = 12.5 A)
  • 先进的封装和硅技术完美融合,实现了低rDS(on)和高效率
  • 新一代的增强型体二极管技术,专为软恢复设计
  • MSL1耐用封装设计
  • 100%经过UIL测试
  • 符合RoHS标准
应用
  • DC-DC商用电源
实物参考图

FDMS86520 实物参考图

订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FDMS86520 量产
从2011年8月起符合绿色标准
$0.55 MLP 5x6 8L (Power 56) 示意图
胶带卷轴
第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
3 (3 位日期代码) 
&K
第二行:FDMS
第三行:86520
ESD (CDM) :  2000  V
ESD (HBM) :  1200  V
RTHETA (JA) :  50  °C/W
应用指南
应用指南 说明
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概述 文档编号 版本
60V N沟道PowerTrench® MOSFET FDMS86520 1