FDMS8820:30V N沟道PowerTrench® MOSFET

FDMS8820 此N沟道MOSFET使用同步或传统的开关PWM控制器,专为提高DC/DC转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。 已经针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和软体二极管反向恢复性能进行了优化。

技术特性
  • 最大值 rDS(on) = 2.0 mΩ(VGS = 10 V, ID = 28 A
  • 最大值 rDS(on) = 2.4 mΩ(VGS = 4.5 V, ID = 25 A
  • 先进的封装技术和硅技术相结合,实现了低rDS(on)和高效率
  • 新一代的增强型体二极管技术,专为软恢复而设计
  • MSL1耐用封装设计
  • 100%经过UIL测试
  • 符合RoHS标准
应用
  • 图形卡
实物参考图

FDMS8820 实物参考图

订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FDMS8820 量产
从2012年7月起符合绿色标准
$0.38 MLP 5x6 8L (Power 56) 示意图
胶带卷轴
第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
3 (3 位日期代码) 
&K
第二行:FDMS
第三行:8820
FIT :  5.6  
RTHETA (JA) :  50  °C/W
RƟJC :  1.6  °C/W
应用指南
应用指南 说明
AN-558 Introduction to Power MOSFETs and their Applications(244 K) 2013年5月03日
AN-6099 采用屏蔽式栅极技术的新型 PowerTrench®MOSFET 提高同步整流应用的系统效率和功率密度(1,295 K) 2013年6月27日
AN-7510 A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 2011年3月05日
AN-7533 A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日
AN-9005 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计(2,150 K) 2013年6月27日
AN-9010 MOSFET Basics(361 K) 2011年3月05日
AN-9065 FRFET® in Synchronous Rectification(156 K) 2013年2月14日
数据资料DataSheet下载
概述 文档编号 版本
30V N沟道PowerTrench® MOSFET FDMS8820 1