FDMS8888:N沟道PowerTrench® MOSFET 30V,21A,9.5mΩ

FDMS8888 FDMS8888设计用于最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 先进的硅和封装技术完美融合,在保持卓越开关性能的同时,提供最低的rDS(on)。

技术特性
  • VGS = 10 V,ID = 13.5 A时,最大rDS(on) = 9.5mΩ
  • VGS = 4.5 V,ID = 10.9 A时,最大rDS(on) = 14.5mΩ
  • 先进的封装技术和硅技术相结合,实现了低rDS(on)和高效率
  • MSL1耐用封装设计
  • 符合RoHS标准
应用
  • 笔记本电脑
实物参考图

FDMS8888 实物参考图

订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FDMS8888 量产
从2011年7月起符合绿色标准
$0.363 MLP 5x6 8L (Power 56) 示意图
胶带卷轴
第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
3 (3 位日期代码) 
&K
第二行:8888
FIT :  0.9  
ESD (CDM) :  2000  V
ESD (HBM) :  700  V
应用指南
应用指南 说明
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概述 文档编号 版本
N沟道PowerTrench® MOSFET 30V,21A,9.5mΩ FDMS8888 1