FDP039N08B:N 沟道 PowerTrench® MOSFET 80V, 171A, 3.9mΩ

FDP039N08B 该N沟道MOSFET采用飞兆半导体®先进的 Power Trench®工艺生产,这一先进工艺专用于最大限度地降低通态电阻并保持出色的开关性能。

技术特性
  • RDS(on) = 3.16mΩ (典型值) @ VGS = 10V, ID = 100A
  • 低FOM RDS(on)*QG
  • 低反向恢复电荷,Qrr = 87.9nC
  • 反向恢复软体二极管
  • 使能高效同步整流
  • 快速开关速度
  • 100%经过UIL测试
  • 符合RoHS标准
应用
  • AC-DC商用电源 AC-DC商用电源-服务器和工作站 AC-DC商用电源-台式计算机 电动自行车 工业级电机 其他数据处理
实物参考图

FDP039N08B 实物参考图

订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FDP039N08B_F102 量产
从2012年1月起符合绿色标准
$2.23 TO-220 3L 示意图  第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
3 (3 位日期代码) 
&K
第二行:FDP
第三行:039N08B
FIT :  1  
RTHETA (JA) :  62.5  °C/W
RƟJC :  0.7  °C/W
应用指南
应用指南 说明
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概述 文档编号 版本
N 沟道 PowerTrench® MOSFET 80V, 171A, 3.9mΩ FDP039N08B 1