FDP083N15A:N 沟道 PowerTrench® MOSFET 150V, 105A, 8.3mΩ

FDP083N15A 该N沟道MOSFET采用飞兆半导体®先进的 Power Trench®工艺生产，这一先进工艺专用于最大限度地降低通态电阻并保持出色的开关性能。

产品	生态状况	价格	封装信息	封装标记规则	资格支持
FDP083N15A_F102	量产从2010年9月起符合绿色标准	$3.43	TO-220 3L 示意图	第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FDP 第三行:083N15A	FIT : 5.1 RTHETA (JA) : 62.5 °C/W RƟJC : 0.65 °C/W

应用指南	说明
AN-558	Introduction to Power MOSFETs and their Applications(244 K) 2013年5月03日
AN-6099	采用屏蔽式栅极技术的新型 PowerTrench®MOSFET 提高同步整流应用的系统效率和功率密度(1,295 K) 2013年6月27日
AN-7510	A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 2011年3月05日
AN-7533	A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日
AN-9005	快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计(2,150 K) 2013年6月27日
AN-9010	MOSFET Basics(361 K) 2011年3月05日
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AN-9763	Mid-Voltage Shielded PowerTrench® MOSFET in High Step-Up DC-DC for Edge-Lit LED TV Backlighting(292 K) 2012年7月20日

概述	文档编号	版本
N 沟道 PowerTrench® MOSFET 150V, 105A, 8.3mΩ	FDP083N15A	1