FDP7N60NZ:N 沟道 UniFETTM II MOSFET 600V,6.5A,1.25Ω

FDP7N60NZ UniFETTM II MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品,基于先进平面条形和 DMOS 技术。 该先进 MOSFET 系列在平面 MOSFET 产品中具有最小的通态电阻,还可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。 此外,内部的栅源 ESD 二极管使 UniFET II MOSFET 产品可承受超过 2kV 的 HBM 冲击应力。 该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及灯用电子镇流器

技术特性
  • RDS(on) = 1.05Ω (典型值)@ VGS = 10V, ID = 3.25A
  • 低栅极电荷(典型值 13nC)
  • 低 Crss(典型值 7pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 提高了 dv/dt 处理能力
  • 改进了 ESD 防护能力
  • 符合 RoHS 标准
应用
  • AC-DC商用电源 消费型设备 DC-DC商用电源 台式计算机 DVD/机顶盒 EMS 照明 笔记本电脑 LCD监视器 LCD 电视 LED TV PC服务器 PDP电视 不间断电源
实物参考图

FDP7N60NZ 实物参考图

订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FDP7N60NZ 量产 $0.92 TO-220 3L 示意图  第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
3 (3 位日期代码) 
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第二行:FDP
第三行:7N60NZ
RTHETA (JA) :  62.5  °C/W
RƟJC :  0.85  °C/W
Moisture Sensitivity Level (MSL) :  NA  
应用指南
应用指南 说明
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概述 文档编号 版本
N 沟道 UniFETTM II MOSFET 600V,6.5A,1.25Ω FDP7N60NZ 1