FDPC8012S:25V非对称双N沟道MOSFET PowerTrench®电源夹

FDPC8012S 该器件在双封装中包括两个专用N沟道MOSFET。 该开关节点通过内部连接,能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。 控制 MOSFET (Q1)和同步 SyncFET™ (Q2) 旨在提供优化的功效。

技术特性
  • Q1: N 沟道 
  • 最大值 rDS(on) = 7.0 mΩ(VGS = 4.5 V,ID = 12 A 时)
    Q2: N 沟道 
  • 最大值 rDS(on) = 2.2 mΩ(VGS = 4.5 V, ID = 23 A 时)
  • 低电感封装缩短了上升/下降时间,从而减少了开关损耗
  • MOSFET集成可实现降低电路电感以及开关节点振铃噪声的优化布局
  • 符合 RoHS 标准
应用
  • 服务器
实物参考图

FDPC8012S 实物参考图

订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FDPC8012S 量产
从2012年8月起符合绿色标准
$1.07 MLP 3.3x3.3 8L (Power 33) 示意图
胶带卷轴
第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
3 (3 位日期代码) 
&K
第二行:01OD
第三行:03OD
ESD (CDM) :  2000  V
ESD (HBM) :  300  V
RTHETA (JA) :  63  °C/W
应用指南
应用指南 说明
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概述 文档编号 版本
25V非对称双N沟道MOSFET PowerTrench®电源夹 FDPC8012S 1